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【ハンギョレ新聞】サムスン電子・ＳＫハイニックス、半導体の重要技術を中国に流出させた韓国の協力会社副社長に懲役１年
サムスン電子とSKハイニックスの半導体DRAMに関する重要技術を中国に流出させた韓国国内の協力企業の役員と職員らが、一審で懲役刑を宣告された。
ソウル中央地裁刑事25-3部（チ・グィヨン裁判長）は、産業技術保護法違反などの疑いで起訴された韓国の半導体装備メーカーM社の副社長S氏に懲役1年を言い渡した。研究所長のL氏と営業グループ長のB氏には、懲役1年6カ月・執行猶予2年と罰金3千万ウォン（約330万円）が宣告された。またM社法人には4億ウォン（約4400万円）の罰金が言い渡された。
彼らは、2018年8月から2020年6月にわたりSKハイニックスの半導体製造技術（HKMG）と洗浄レシピなどを中国のライバル企業に流出させた容疑で、2021年1月裁判に付された。彼らが流出させた技術は、伝導率の高い新素材を使用してDRAMの性能を向上させた最新技術だ。
また、サムスン電子の子会社「セメス」の元従業員から取得した超臨界洗浄装備の図面などを活用し、中国向け輸出用の半導体洗浄装備を開発した疑いも持たれている。超臨界洗浄装備は、セメスが世界で初めて開発した半導体洗浄用化学物質を用いている。検察は国家情報院から技術流出の事実を知らされ、捜査を開始した。
裁判所は「半導体洗浄レシピを海外に流出させた犯行は罪質がかなり悪い」と明らかにした。特に「セメスの情報使用については、最高責任者である被告の指示と主導なしにはこうした開発が実施されることはありえない」として、シン氏に実刑を宣告した背景を明らかにした。
裁判所は、SKハイニックスと半導体洗浄装備技術を共同保有していたというM社の主張を一部受け入れ、半導体洗浄装備の仕様情報漏洩部分は無罪とした。裁判所は「共同開発契約書によれば、SKハイニックス関連情報のみを第3者に公開することを禁止しているだけで、共同開発結果に該当する洗浄装備の仕様情報を伝えたこと自体は禁止されているとはいえず、秘密維持義務違反だと断定できない」と判決を下した。
イ・ジヘ記者
